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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.69 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 140 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB503A | TOSHIBA |
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SILICON PNP TRANSISTOR |
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| 2SB504A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-39 |
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| 2SB506 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB506 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB507 | SANYO |
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PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE |
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| 2SB507 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(3.0A,60V,30W) |
|
| 2SB507 | Wing Shing |
获取价格 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
|
| 2SB507 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB507 | DCCOM |
获取价格 |
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
|
| 2SB507 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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