2SB509C

更新时间： 2024-09-16 12:59:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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3页	54K
描述
Transistor

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2SB509C 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SB509C 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB509

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Complement to type 2SD315

APPLICATIONS

·For use in audio frequency power

amplifier application

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-60

UNIT

Open emitter

Open base

-60

Open collector

-5

-4

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-10

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-40~150

T_stg

12 3

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