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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.67 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 140 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 8 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB507E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
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| 2SB507F | MOSPEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
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| 2SB508 | SANYO |
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PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE |
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| 2SB508C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
|
| 2SB508D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
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| 2SB508E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
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| 2SB508F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
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| 2SB509 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB509 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB509 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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