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| MICRO-ELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 56K |  |
| 描述 | ||
| Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN | ||
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 140 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB512A | MICRO-ELECTRONICS |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SB513 | MICRO-ELECTRONICS |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SB513A | MICRO-ELECTRONICS |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SB514 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB514 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB514 | SANYO |
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Low Frequency Power Amp Applications |
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| 2SB514 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB514 | MICRO-ELECTRONICS |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SB514 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 50V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| 2SB514_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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