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2SB507

更新时间: 2024-09-15 21:55:39
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页数 文件大小 规格书
1页 45K
描述
PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE

2SB507 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.66Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):3 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-609代码:e0
最高工作温度:140 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):30 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):8 MHzBase Number Matches:1

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