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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1462G
2SB1462G PDF预览

2SB1462G

更新时间： 2024-11-17 12:59:31
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 44K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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2SB1462G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.83最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

2SB1462G 数据手册

 浏览型号2SB1462G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1462G的Datasheet PDF文件第3页 
Transistor  
2SB1462  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For general amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SD2216  
1.6±0.15  
0.8±0.1  
0.4  
0.4  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
●
.
1
●
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment  
and automatic insertion through the tape packing and the maga-  
zine packing.  
3
2
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
–60  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
0.2±0.1  
–50  
V
–7  
V
–200  
–100  
125  
mA  
mA  
mW  
˚C  
1:Base  
2:Emitter  
3:Collector  
IC  
EIAJ:SC–75  
SS-Mini Type Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
Tj  
125  
Marking symbol : A  
Tstg  
–55 ~ +125  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
– 0.1  
–100  
Unit  
µA  
µA  
V
VCB = –20V, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = –10V, IB = 0  
IC = –10µA, IE = 0  
IC = –100µA, IB = 0  
IE = –10µA, IC = 0  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
–60  
–50  
–7  
V
V
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = –10V, IC = –2mA  
160  
460  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –100mA, IB = –10mA  
– 0.11  
80  
– 0.3  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
2.7  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
Q
R
S
160 ~ 260  
AQ  
210 ~ 340  
AR  
290 ~ 460  
AS  
Marking Symbol  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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