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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.83 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1463 | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-noise amplification) |
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| 2SB1463G | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS |
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| 2SB1463J | PANASONIC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS |
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| 2SB1463JR | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS |
|
| 2SB1463R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-75 |
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| 2SB1463S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-75 |
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| 2SB1463T | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-75 |
|
| 2SB1463TX | PANASONIC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SB1467 | SANYO |
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General High-Current Switching Applications |
|
| 2SB1467Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220VAR |
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