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2SB1470P

更新时间： 2024-11-18 19:54:31

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	90K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TOP-3L-A1, 3 PIN

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2SB1470P 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3LA1
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.75
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	7000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1470P 数据手册

Power Transistors

2SB1470

Silicon PNP triple diffusion planar type darlington

Unit: mm

20.0 0.5

5.0 0.3

(3.0)

For power amplification

Complementary to 2SD2222

φ 3.3 0.2

■ Features

• Optimum for 120 W HiFi output

• High forward current transfer ratio h_FE

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

(1.5)

2.0 0.3

2.7 ^0.3

3.0 0.3

1.0 0.2

0.6 0.2

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

5.45 0.3

10.9 0.5

Parameter

Symbol

Rating

−160

−5

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Base

2: Collector

3: Emitter

TOP-3L-A1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−8

Internal Connection

Peak collector current

Collector power dissipation

−15

150

T_a= 25°C

3.5

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= −30 mA, I_B= 0

−160

V_CB= −160 V, I_E= 0

V_CE= −160 V, I_B= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−100

µA



I_CEO

I_EBO

h_FE1

V_CE= −5 V, I_C= −1 A

V_CE= −5 V, I_C= −7 A

1000

3500

h_FE2

20 000

−3

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= −7 A, I_B= −7 mA

V_BE(sat)I_C= −7 A, I_B= −7 mA

−3

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 1 MHz

1.0

1.5

1.2

MHz

µs

I_C= −7 A, I_B1= −7 mA, I_B2= 7 mA

V_CC= −50 V

Storage time

µs

Fall time

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE2

3500 to 10000 5000 to 15000 7000 to 20000

Publication date: March 2003

SJD00076BED

12 3 4

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与2SB1470P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1470Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 160V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-247VAR
2SB1470S	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1471	SANYO	获取价格	Driver Applications
2SB1472	SANYO	获取价格	Driver Applicationsããã
2SB1473	ETC	获取价格
2SB1473R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT2, 3
2SB1473S	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT2, 3
2SB1473-SZ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1474	ROHM	获取价格	Power Transistor (−80V, −4A)
2SB1474A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-252VAR

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