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2SB1473R

更新时间： 2024-11-18 14:46:19

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松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	168K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT2, 3 PIN

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2SB1473R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	130
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1473R 数据手册

Transistor

2SB1473

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency output amplification

Complementary to2SD2225

Unit: mm

2.5±0.1

1.05

±0.05

6.9±0.1

4.0

(1.45)

0.8

0.7

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

■

●

Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

High transition frequency f_T.

Allowing supply with the radial taping.

0.65 max.

0.45⁺–0⁰.^.0¹5

2.5±0.5 2.5±0.5

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–120

–5

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Note: In addition to the

lead type shown in

1:Emitter

2:Collector

the upper figure, the 3:Base

–1

type as shown in

the lower figure is

also available.

MT2 Type Package

I_C

– 0.5

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

1.2±0.1

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

0.65

max.

0.1

0.45_–0.05

(HW type)

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CEO

V_EBO

Conditions

I_C= –0.1mA, I_B= 0

min

–120

–5

typ

max

Unit

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= –10V, I_C= –150mA

V_CE= –5V, I_C= –500mA^*2

I_C= –300mA, I_B= –30mA^*2

V_CB= –10V, I_E= 50mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

330

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

–1.0

–1.2

Transition frequency

f_T

250

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

90 ~ 155

130 ~ 220

185 ~ 330

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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