2SB1474

更新时间： 2024-11-17 22:52:39

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管放大器
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1页	56K
描述
Power Transistor (−80V, −4A)

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2SB1474 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.49
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	10 W	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1474 数据手册

2SB1474

Transistor

Power Transistor (−80V, −4A)

2SB1474

!Features

!External dimensions (Units : mm)

1) Darlington connection for a high h .

2) Built-in resistor between base and emitter.

3) Built-in damper doide.

5.5

0.9

1.5

C0.5

!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

0.8Min.

(1) Base(Gate)

(2) Collector(Drain)

(3) Emitter(Source)

1.5

2.5

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

9.5

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

Unit

CBO

-80

CES

EBO

-80

-7

-4

A(DC)

Collector current

-6

(Tc=25˚C)

˚C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

Tstg

-55~+150

˚C

Single pulse, Pw=100ms

!Packaging specifications and h^FE

Type

2SB1474

CPT3

1k~10k

Package

hFE

Code

Basic ordering unit (pieces)

2500

!Circuit diagram

3kΩ

B : Base

C : Collector

E : Emitter

300Ω

!Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Collector cutoff current

BV^CBO

BVCEO

-80

=-50µA

=-1mA

CB=-80V

EB=-5V

CBO

EBO

CE(sat)

-100

-3

µA

Emitter cutoff current

Collector-emitter saturation voltage

DC current transfer ratio

Transition frequency

-1

-1.5

=-2A/-4mA

=-3V/-2A

CE=-5V, I 0.5A, f 10MHz

CB=-10V, I 0A, f=1MHz

1000

5000 10000

CE/I

MHz

Output capacitance

Cob

1 Measured using pulse current. 2 Transition frequency of the device.

* *

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1474A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-252VAR
2SB1474B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-252VAR
2SB1474C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-252VAR
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