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2SB1463G

更新时间： 2024-01-08 13:35:15

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	228K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F3, 3 PIN

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2SB1463G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	130	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1463G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SB1463G

Silicon PNP epitaxial planar type

For high breakdown voltage low-noise amplification

Complementary to 2SC2440G

■ Features

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• Low noise voltage NV

• SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing.

■ Package

• Code

SSMini3-F3

• Marking Symbol: I

• Pin Name

1. Base

2. Emitter

3. Collector

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−150

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−150

−5

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−50

°C

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

−100

125

T_stg

−55 to +125

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−150

−5

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= −100 µA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −100 V, I_E= 0

V_CE= −5 V, I_C= −10 mA

−1

330

−1

µA



h_FE

130

V_CE(sat)I_C= −30 mA, I_B= −3 mA

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 10 mA, f = 200 MHz

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

(Common base, input open circuited)

Noise voltage

V_CE= −10 V, I_C= −1 mA, G_V= 80 dB

R_g= 100 kΩ, Function = FLAT

150

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

130 to 220

185 to 330

Publication date: May 2007

SJC00388AED

12 3 4

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