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2SB1462R

更新时间： 2024-11-18 17:57:39

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	216K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SSMINI3-G1, SC-75, 3 PIN

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2SB1462R 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-75
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.83
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	210
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1462R 数据手册

Transistors

2SB1462

Silicon PNP epitaxial planar type

For general amplification

Unit: mm

+0.1

0.2

0.15

Complementary to 2SD2216

–0.05

■ Features

• High forward current transfer ratio h_FE

• SS-Mini type package allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing

(0.5) (0.5)

1.0 0.1

1.6 0.1

5˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

−60

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

−50

−7

EIAJ : SC-75

−100

°C

SSMini3-G1 Package

Peak collector current

I_CP

−200

Marking Symbol: A

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

125

T_j

125

Storage temperature

T_stg

−55 to +125

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−60

−50

−7

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −100 µA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −20 V, I_E= 0

V_CE= −10 V, I_B= 0

V_CE= −10 V, I_C= −2 mA

− 0.1

µA



I_CEO

−100

h_FE

160

460

V_CE(sat)I_C= −100 mA, I_B= −10 mA

− 0.3 − 0.5

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

2.7

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

No Rank

h_FE

160 to 260

210 to 340

290 to 460

160 to 460

Publication date: November 2002

SJC000272BED

12 3 4

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与2SB1462R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1462S	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SSMINI3
2SB1462TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1463	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-noise amplification)
2SB1463G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS
2SB1463J	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS
2SB1463JR	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS
2SB1463R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-75
2SB1463S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-75
2SB1463T	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-75
2SB1463TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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