2SB1462L

更新时间： 2024-11-17 21:55:19

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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For General Amplification

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2SB1462L 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-PBCC-N4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PBCC-N4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1462L 数据手册

Transistors

2SB1462L

Silicon PNP epitaxial planar type

For general amplification

Unit: mm

0.020 0.010

Complementary to 2SD2216L

■ Features

• High forward current transfer ratio h_FE

1.00 0.05

0.60 0.05

• Mold leadless type package, allowing downsizing and thinning of

the equipment and automatic insertion through the tape packing

0.30 0.03

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−60

Unit

0.60

0.05 0.03

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Base

−50

2: Emitter

3: Collector

4: Collector

−7

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−100

−200

150

°C

ML4-N1 Package

Peak collector current

Collector power dissipation ^*

Junction temperature

Storage temperature

Marking Symbol: J

125

T_stg

−55 to +125

°C

Note) : Print circuit board: Copper foil area of 20.0 mm²or more, and the

board thickness of 1.6 mm for the collector portion

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

I_C= −10 µA, I_E= 0

Min

−60

−50

−7

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emiter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emiter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

I_C= −100 µA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −20 V, I_E= 0

V_CE= −10 V, I_B= 0

V_CE= −10 V, I_C= −2mA

− 0.1

−100

390

µA



I_CEO

h_FE

180

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −100 mA, I_B= −10 mA

− 0.3 − 0.5

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

2.7

(Common base, input open circuited)

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: April 2003

SJC00088BED

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2SB1462Q	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SSMINI3
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2SB1462S	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SSMINI3
2SB1462TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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