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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.33 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 35 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1407(S)C | RENESAS |
获取价格 |
2.5A, 35V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, DPAK-3 |
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| 2SB1407(S)D | HITACHI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 |
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| 2SB1407(S)D | RENESAS |
获取价格 |
2.5A, 35V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, DPAK-3 |
|
| 2SB1407(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
2.5 A, 35 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1407(S)TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SB1407B(L) | ETC |
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BJT |
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| 2SB1407B(S) | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SB1407BL | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,35V V(BR)CEO,2.5A I(C),TO-251AA |
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| 2SB1407C(L) | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SB1407C(S) | ETC |
获取价格 |
BJT |
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