2SB1172

更新时间： 2024-09-20 22:45:07

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管放大器
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3页	84K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SB1172 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1172 数据手册

Power Transistors

2SB1172, 2SB1172A

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency power amplification

Complementary to 2SD1742, 2SD742A

Unit: mm

7.0 0.3

3.5 0.2

0˚ to 0.15˚

3.0 0.2

2.0 0.2

■ Features

• High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory linearity

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• I type package enabling direct soldering of the radiating fin to the

printed circuit board, etc. of small electronic equipment

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

1.1 0.1

0.75 0.1 0.4 0.1

Parameter

Symbol

Rating

−60

Unit

0.9 0.1

0˚ to 0.15˚

2.3 0.2

2SB1172

2SB1172A

2SB1172

2SB1172A

V_CBO

Collector-base voltage

(Emitter open)

4.6 0.4

−80

V_CEO

−60

Collector-emitter voltage

(Base open)

−80

1: Base

2: Collector

3: Emitter

I-G1 Package

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−5

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−3

Peak collector current

Collector power dissipation

−5

Note) Self-supported type package is also prepared.

T_a= 25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−60

−80

Typ

Max

Unit

2SB1172

2SB1172A

V_CEO

I_C= −30 mA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

Base-emitter voltage

V_BE

I_CES

V_CE= −4 V, I_C= −3 A

V_CE= −60 V, V_BE= 0

V_CE= −80 V, V_BE= 0

V_CE= −30 V, I_B= 0

V_CE= −60 V, I_B= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−1.8

−200

−300

−1

2SB1172

2SB1172A

2SB1172

2SB1172A

µA

Collector-emitter cutoff

current (E-B short)

I_CEO

µA

Collector-emitter cutoff

current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_EBO

h_FE1

V_CE= −4 V, I_C= −1 A

V_CE= −4 V, I_C= −3 A

250



h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= −3 A, I_B= − 0.375 A

−1.2

MHz

µs

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

0.5

1.2

0.3

I_C= −1 A, I_B1= − 0.1 A, I_B2= 0.1 A

V_CC= −50 V

Storage time

µs

Fall time

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE2

70 to 150

120 to 250

Publication date: February 2003

SJD00048AED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1172_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1172A	TYSEMI	获取价格	High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity.
2SB1172A	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
2SB1172A	KEXIN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Type
2SB1172A_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1172AH	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1172AP	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1172A-P	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1172AQ	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
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