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2SB1172P

更新时间： 2024-09-22 20:24:27
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 79K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, I-G1, 4 PIN

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2SB1172P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz
Base Number Matches：1

2SB1172P 数据手册

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Power Transistors  
2SB1172, 2SB1172A  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For low-frequency power amplification  
Complementary to 2SD1742, 2SD742A  
Unit: mm  
7.0 0.3  
3.5 0.2  
0˚ to 0.15˚  
3.0 0.2  
2.0 0.2  
■ Features  
• High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• I type package enabling direct soldering of the radiating fin to the  
printed circuit board, etc. of small electronic equipment  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
1.1 0.1  
0.75 0.1 0.4 0.1  
Parameter  
Symbol  
Rating  
−60  
Unit  
0.9 0.1  
0˚ to 0.15˚  
2.3 0.2  
2SB1172  
2SB1172A  
2SB1172  
2SB1172A  
VCBO  
V
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
4.6 0.4  
2
−80  
1
3
VCEO  
−60  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
−80  
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
I-G1 Package  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
−5  
V
A
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
−3  
Peak collector current  
Collector power dissipation  
−5  
A
Note) Self-supported type package is also prepared.  
15  
W
Ta = 25°C  
1.3  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
−60  
−80  
Typ  
Max  
Unit  
2SB1172  
2SB1172A  
VCEO  
IC = −30 mA, IB = 0  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
Base-emitter voltage  
VBE  
ICES  
VCE = −4 V, IC = −3 A  
VCE = −60 V, VBE = 0  
VCE = −80 V, VBE = 0  
VCE = −30 V, IB = 0  
VCE = −60 V, IB = 0  
VEB = −5 V, IC = 0  
−1.8  
−200  
−200  
−300  
−300  
−1  
V
2SB1172  
2SB1172A  
2SB1172  
2SB1172A  
µA  
Collector-emitter cutoff  
current (E-B short)  
ICEO  
µA  
Collector-emitter cutoff  
current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
IEBO  
mA  
*
hFE1  
VCE = −4 V, IC = −1 A  
VCE = −4 V, IC = −3 A  
70  
10  
250  
hFE2  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Turn-on time  
VCE(sat) IC = −3 A, IB = − 0.375 A  
−1.2  
V
MHz  
µs  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = −10 V, IC = − 0.5 A, f = 10 MHz  
30  
0.5  
1.2  
0.3  
IC = −1 A, IB1 = − 0.1 A, IB2 = 0.1 A  
VCC = −50 V  
Storage time  
µs  
Fall time  
µs  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
P
hFE2  
70 to 150  
120 to 250  
Publication date: February 2003  
SJD00048AED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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