2SB1174

更新时间： 2024-02-15 14:54:14

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松下 - PANASONIC		开关
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For voltage switching

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2SB1174 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SB1174 数据手册

Power Transistors

2SB1174

Silicon PNP epitaxial planar type

For voltage switching

Unit: mm

7.0 0.3

3.5 0.2

0˚ to 0.15˚

3.0 0.2

2.0 0.2

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

• Large collector current I_C

• I type package enabling direct soldering of the radiating fin to the

printed circuit board, etc. of small electronic equipment

1.1 0.1

0.75 0.1 0.4 0.1

0.9 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0˚ to 0.15˚

2.3 0.2

4.6 0.4

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−130

−80

1: Base

−7

2: Collector

3: Emitter

I-G1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−3

Peak collector current

Collector power dissipation

−6

Note) Self-supported type package is also prepared.

T_a= 25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 mA, I_B= 0

−80

V_CB= −100 V, I_E= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−10

−50

µA



I_EBO

h_FE1

V_CE= −2 V, I_C= − 0.1 A

V_CE= −2 V, I_C= − 0.5 A

h_FE2

260

− 0.5

−1.5

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= −2 A, I_B= − 0.1 A

V_BE(sat)I_C= −2 A, I_B= − 0.1 A

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

0.3

1.1

0.3

MHz

µs

I_C= − 0.5 A, I_B1= −50 mA, I_B2= 50 mA

V_CC= −50 V

Storage time

µs

Fall time

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE2

90 to 180

130 to 260

Publication date: March 2003

SJD00050AED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1174_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1174P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-221VAR
2SB1174-P	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1174Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-221VAR
2SB1174-Q	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1174R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-221VAR
2SB1174TX	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1175	TYSEMI	获取价格	Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. Large collector current IC.
2SB1175	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
2SB1175	KEXIN	获取价格	Silicon PNP Epitaxial Planar Type

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