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2SB1160

更新时间： 2024-09-15 06:19:47

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
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4页	78K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1160 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1160

DESCRIPTION

·With TO-3PFa package

·Complement to type 2SD1715

·High f_T

·Satisfactory linearity of h_FE

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·For high power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-150

-5

UNIT

Open base

Open collector

-9

I_CP

Collector current-peak

-15

T_C=25℃

100

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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