2SB1091

更新时间： 2024-01-19 22:33:56

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日立 - HITACHI		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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6页	38K
描述
Silicon PNP Triple Diffused

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2SB1091 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220AB, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB1091 数据手册

2SB1091

Silicon PNP Triple Diffused

Application

Low frequency power amplifier

Outline

TO-220AB

1. Base

2. Collector

(Flange)

3. Emitter

3.5 kΩ

(Typ)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

–60

–7

–8

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Note: 1. Value at T_C= 25°C.

I_C(peak)

P_C*¹

–12

°C

150

Tstg

–55 to +150

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SB1093K	RENESAS	获取价格	1500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1093K	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1093-K	NEC	获取价格	暂无描述
2SB1093K-AZ	RENESAS	获取价格	1500mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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