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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1093M-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SB1094 | NEC |
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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
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| 2SB1094 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1094 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1094 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1094 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Isolated |
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| 2SB1094 | FOSHAN |
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TO-220F |
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| 2SB1094_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1094_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1094-AZ | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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