2SB1094

更新时间： 2024-11-19 21:55:27

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日电电子 - NEC		晶体放大器晶体管功率放大器
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4页	122K
描述
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER

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2SB1094 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.34	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1094 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SB1094

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIER

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

• The 2SB1094 features ratings covering a wide range of

applications and is ideal for power supplies or a variety of drives

in audio and other equipment.:

V^CEO≥ −60 V, V^EBO≥ −7.0 V, I^C(DC)≤ −3.0 A

• Mold package that does not require an insulating board or

insulation bushing

• Complementary transistor with 2SD1585

QUALITY GRADES

• Standard

Please refer to “Quality Grades on NEC Semiconductor Devices”

(Document No. C11531E) published by NEC Corporation to know

the specification of quality grade on the devices and its

recommended applications.

Electrode Connection

1. Base

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

2. Collector

Parameter

Symbol

V^CBO

Ratings

−60

Unit

3. Emitter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

−60

V^CEO

−7.0

V^EBO

−3.0

I^C(DC)

−5.0

I^C(pulse)*

I^B(DC)

−0.6

P^T(Tc = 25°C)

P^T(Ta = 25°C)

T^j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

2.0

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16186EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1094_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1094_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1094-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1094K	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SB1094-K	RENESAS	获取价格	3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1094-K-AZ	RENESAS	获取价格	3A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1094L	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-186
2SB1094-L	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1094-L-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
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