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2SB1026DMUR

更新时间: 2024-09-19 20:08:31
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 60K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3

2SB1026DMUR 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.61
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:100 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):140 MHz

2SB1026DMUR 数据手册

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