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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.1 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 140 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1002CJTL-E | RENESAS |
功能相似  |
Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SB1026DMTL-E | RENESAS |
功能相似 |
Silicon PNP Epitaxial |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1026DMTR-E | RENESAS |
获取价格 |
2SB1026DMTR-E |
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| 2SB1026DMUL | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3 |
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| 2SB1026DMUL | RENESAS |
获取价格 |
1000mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, UPAK-3 |
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| 2SB1026DMUR | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3 |
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| 2SB1026DMUR | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3 |
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| 2SB1026-HF_15 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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| 2SB1026-L | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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| 2SB1026-L-HF | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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| 2SB1026-M | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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| 2SB1026-M-HF | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors |
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