2SB1011

更新时间： 2024-09-18 22:35:55

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管 ISM频段放大器局域网
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Silicon PNP triple diffusion planar type

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2SB1011 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.81
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER BISMUTH COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	70 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1011 数据手册

Power Transistors

2SB1011

Silicon PNP triple diffusion planar type

For low-frequency output amplification

Unit: mm

+0.5

–0.1

8.0

3.2 0.2

φ 3.16 ^0.1

■ Features

• High collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• Large collector power dissipation P_C

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−400

Unit

0.75 0.1

4.6 0.2

0.5 0.1

2.3 0.2

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

0.5 0.1

1.76 0.1

−400

1: Emitter

2: Collector

3: Base

−5

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−100

TO-126B-A1 Package

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

−200

1.2

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

h_FE

Conditions

Min

−400

−5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emiter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emiter-base voltage (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= −100 µA, I_E= 0

I_C= −500 µA, I_B= 0

I_E= −100 µA, I_C= 0

V_CE= −5 V, I_C= −30 mA



V_CE(sat)I_C= −50 mA, I_B= −5 mA

V_BE(sat)I_C= −50 mA, I_B= −5 mA

−2.5

−1.5

f_T

V_CB= −30 V, I_E= 20 mA, f = 200 MHz

V_CB= −30 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: March 2003

SJD00036BED

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