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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.54 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SB1012(K) | HITACHI | Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SB1012K | HITACHI | Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SB1015 | ISC | Transistor |
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| 2SB1015 | TOSHIBA | TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SB1015 | SAVANTIC | Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1015 | JMNIC | Silicon PNP Power Transistors |
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