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2SB0951A(2SB951A)

更新时间： 2024-11-28 23:20:03

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描述
パワーデバイス－パワートランジスタ－汎用電力増幅

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パワートランジスタ

2SB0951 (2SB951), 2SB0951A (2SB951A)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形ダーリントン

Unit : mm

中速度スイッチング用

10.0 0.2

5.5 0.2

4.2 0.2

2.7 ^0.2

2SD1277, 2SD1277Aとコンプリメンタリ

■ 特ꢀ長

φ 3.1 0.1

•

直

スイッチング速度が速い

放熱板への取付けがビス1本で可能なフルパックパッケージ

流電流増幅率h_FEが高い

1.3 0.2

+0.2

1.4 0.1

0.8 0.1

■ 絶対最大定格 T_C= 25°C

0.5

–0.1

項目

記号

定格

−60

−80

−60

−80

−7

単位

2SB0951

2SB0951A

2SB0951

2SB0951A

V_CBO

コレクタ・ベース間電圧

2.54 0.3

5.08 0.5

(E開放時)

V_CEO

1 : Base

コレクタ・エミッタ間

2 : Collector

3 : Emitter

EIAJ : SC-67

電圧(B 開放時)

2 3

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

TO-220F-A1 Package

コレクタ電流

I_C

I_CP

P_C

−8

内部接続図

尖頭コレクタ電流

コレクタ損失

−12

T_a= 25°C

接

合温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

■ 電気的特性 T_C= 25°C 3°C

項目

記号

条件

最小標準最大

単位

2SB0951

2SB0951A

2SB0951

2SB0951A

V_CEO

I_CBO

I_EBO

I_C= −30 mA, I_B= 0

−60

−80

−100

−2

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

コレクタ・ベース間

V_CB= −60 V, I_E= 0

V_CB= −80 V, I_E= 0

V_EB= −7 V, I_C= 0

µA

遮断電流(E 開放時)

エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時)

直

流電流増幅率

h_FE1

V_CE= −3 V, I_C= −4 A

1000

10 000



h_FE2

V_CE= −3 V, I_C= −8 A

500

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

ベース・エミッタ間飽和電圧

トランジション周波数

ターンオン時間

V_CE(sat)I_C= −4 A, I_B= −8 mA

V_BE(sat)I_C= −4 A, I_B= −8 mA

−1.5

−2.0

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= −1 A, f = 1 MHz

0.5

2.0

1.0

MHz

µs

I_C= −4 A, I_B1= −8 mA, I_B2= 8 mA

V_CC= −50 V

蓄積時間

µs

下降時間

µs

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

2. : ランク分類

ランク

h_FE1

1000 ∼ 2500 2000 ∼ 5000 4000 ∼ 10000

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2003年4月

SJD00030BJD

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB0951A\|2SB951A	ETC	获取价格	Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
2SB0951AP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-220AB
2SB0951AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-220AB
2SB0951P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-220AB
2SB0951Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-220AB
2SB0951R	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SB0952	PANASONIC	获取价格	For Low-Voltage Switching
2SB0952(2SB952)	ETC	获取价格	パワーデバイス－パワートランジスタ－汎用電力増幅
2SB0952\|2SB952	ETC	获取价格	Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
2SB0952A	PANASONIC	获取价格	For Low-Voltage Switching

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