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2SB0952(2SB952)

更新时间： 2024-11-22 23:20:03

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パワーデバイス－パワートランジスタ－汎用電力増幅

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2SB0952(2SB952) 数据手册

パワートランジスタ

2SB0952 (2SB952), 2SB0952A (2SB952A)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

低電圧スイッチング用

Unit : mm

8.5 0.2

3.4 0.3

■ 特ꢀ長

6.0 0.2

1.0 0.1

•

コレクタ・エミッタ間飽和電圧V

スイッチング速度が速い

_CE(sat)が低い

放熱フィンをはん

• 小形電子機器のプリント基板などへ直

接

0 to 0.4

だ付けできるN型パッケージ構造

R = 0.5

1.0 0.1

0.8 0.1

2.54 0.3

1.4 0.1

■ 絶対最大定格 T_C= 25°C

0.4 0.1

5.08 0.5

項目

記号

V_CBO

定格

−40

−50

−20

−40

−5

単位

(8.5)

(6.0)

(6.5)

1.3

2SB0952

2SB0952A

2SB0952

2SB0952A

コレクタ・ベース間電圧

(E開放時)

V_CEO

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

コレクタ電流

I_C

I_CP

P_C

−7

N-G1 Package

尖頭コレクタ電流

コレクタ損失

−12

注) 自立タイプのパッケージも用

意しています。

T_a= 25°C

1.3

接

合温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

■ 電気的特性 T_C= 25°C 3°C

項目

記号

条件

最小標準最大

単位

2SB0952

2SB0952A

2SB0952

2SB0952A

V_CEO

I_CBO

I_EBO

I_C= −10 mA, I_B= 0

−20

−40

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

V_CB= −40 V, I_E= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−50

µA

コレクタ・ベース間遮断

電流(E 開放時)

エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時)

µA

直

流電流増幅率

h_FE1

V_CE= −2 V, I_C= − 0.1 A



h_FE2

V_CE= −2 V, I_C= −2 A

260

− 0.6

−1.5

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

ベース・エミッタ間飽和電圧

トランジション周波数

V_CE(sat)I_C= −5 A, I_B= − 0.16 A

V_BE(sat)I_C= −5 A, I_B= − 0.16 A

f_T

C_ob

t_on

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

150

140

0.1

MHz

µs

コレクタ出力容量(入力開放時)

ターンオン時間

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

I_C= −2 A

蓄

積時間

下降時間

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

t_stg

I_B1= −66 mA, I_B2= 66 mA

0.5

µs

V_CC= −20 V

t_f

0.1

µs

2. : ランク分類

ランク

h_FE2

60 ∼ 120

90 ∼ 180

130 ∼ 260

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2003年3月

SJD00031BJD

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SB0952A	PANASONIC	获取价格	For Low-Voltage Switching
2SB0952A(2SB952A)	ETC	获取价格	パワーデバイス－パワートランジスタ－汎用電力増幅
2SB0952A\|2SB952A	ETC	获取价格	Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
2SB0952AP	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB0952AQ	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
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2SB0952Q	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
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