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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SB0952AR
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2SB0952AR

更新时间： 2024-11-26 13:04:11
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 85K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, N-G1, 3 PIN

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2SB0952AR 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：N-G1, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

2SB0952AR 数据手册

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Power Transistors  
2SB0952 (2SB952), 2SB0952A (2SB952A)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For low-voltage switching  
Unit: mm  
8.5 0.2  
6.0 0.2  
3.4 0.3  
1.0 0.1  
■ Features  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• High-speed switching  
• N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the  
printed circuit board, etc. of small electronic equipment  
0 to 0.4  
R = 0.5  
R = 0.5  
1.0 0.1  
0.8 0.1  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
2.54 0.3  
1.4 0.1  
0.4 0.1  
Parameter  
Symbol  
Rating  
−40  
Unit  
5.08 0.5  
(8.5)  
(6.0)  
2SB0952  
2SB0952A  
2SB0952  
2SB0952A  
VCBO  
V
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
1.3  
1
2
3
−50  
VCEO  
−20  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
−40  
(6.5)  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
−5  
V
A
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
−7  
Peak collector current  
Collector power dissipation  
−12  
A
N-G1 Package  
30  
W
Note) Self-supported type package is also prepared.  
Ta = 25°C  
1.3  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
−20  
−40  
Typ  
Max  
Unit  
2SB0952  
2SB0952A  
2SB0952  
2SB0952A  
VCEO  
IC = −10 mA, IB = 0  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
ICBO  
VCB = −40 V, IE = 0  
VCB = −50 V, IE = 0  
VEB = −5 V, IC = 0  
−50  
−50  
−50  
µA  
Collector-base cutoff  
current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
IEBO  
hFE1  
µA  
VCE = −2 V, IC = − 0.1 A  
VCE = −2 V, IC = −2 A  
45  
60  
*
hFE2  
260  
− 0.6  
−1.5  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = −5 A, IB = − 0.16 A  
VBE(sat) IC = −5 A, IB = − 0.16 A  
V
V
fT  
VCE = −10 V, IC = − 0.5 A, f = 10 MHz  
150  
140  
MHz  
MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
(Common base, input open circuited)  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
ton  
tstg  
tf  
0.1  
0.5  
0.1  
µs  
µs  
µs  
IC = −2 A  
IB1 = −66 mA, IB2 = 66 mA  
VCC = −20 V  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
R
Q
P
hFE2  
60 to 120  
90 to 180  
130 to 260  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
Publication date: March 2003  
SJD00031AED  
1
1234

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