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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SB0953A
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2SB0953A

更新时间： 2024-11-22 22:45:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 86K
描述
For Low-Voltage Switching

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2SB0953A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SB0953A 数据手册

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Power Transistors  
2SB0953 (2SB953), 2SB0953A (2SB953A)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For low-voltage switching  
Unit: mm  
■ Features  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• High-speed switching  
10.0 0.2  
5.5 0.2  
4.2 0.2  
2.7 0.2  
• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw  
φ 3.1 0.1  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
1.3 0.2  
1.4 0.1  
2SB0953  
2SB0953A  
2SB0953  
2SB0953A  
VCBO  
−40  
V
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
+0.2  
–0.1  
0.5  
−50  
0.8 0.1  
VCEO  
−20  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
2.54 0.3  
5.08 0.5  
−40  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
−5  
V
A
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
EIAJ: SC-67  
Collector current  
Peak collector current  
Collector power  
IC  
ICP  
PC  
−7  
1
2 3  
−12  
A
TO-220F-A1 Package  
30  
W
dissipation  
Ta = 25°C  
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
−20  
−40  
Typ  
Max  
Unit  
2SB0953  
2SB0953A  
2SB0953  
2SB0953A  
VCEO  
IC = −10 mA, IB = 0  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
ICBO  
VCB = −40 V, IE = 0  
VCB = −50 V, IE = 0  
VEB = −5 V, IC = 0  
−50  
−50  
−50  
µA  
Collector-base cutoff  
current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
IEBO  
hFE1  
µA  
VCE = −2 V, IC = − 0.1 A  
VCE = −2 V, IC = −2 A  
45  
60  
*
hFE2  
260  
− 0.6  
−1.5  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = −5 A, IB = −0.16 A  
VBE(sat) IC = −5 A, IB = − 0.16 A  
V
V
fT  
VCE = −10 V, IC = − 0.5 A, f = 10 MHz  
150  
140  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
(Common base, input open circuited)  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
ton  
tstg  
tf  
IC = −2 A, IB1 = −66 mA, IB2 = 66 mA  
VCC = −20 V  
0.1  
0.5  
0.1  
µs  
µs  
µs  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
R
Q
P
hFE2  
60 to 120  
90 to 180  
130 to 260  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
Publication date: April 2003  
SJD00032BED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB0953A(2SB953A) ETC

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 		Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
2SB0953A|2SB953A ETC

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 		Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
2SB0953AP ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
2SB0953APQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
2SB0953AQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
2SB0953AR PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SB0953P ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
2SB0953PQ PANASONIC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
2SB0954/2SB0954A(2SB954/2SB954A) ETC

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 		2SB0954. 2SB0954A (2SB954. 2SB954A) - PNP Transistor

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