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2SB0956G

更新时间： 2024-11-26 21:19:55

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	208K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN

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2SB0956G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SB0956G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SB0956G

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency output amplification

Complementary to 2SD1280G

■ Features

■ Package

•

• Large collector power dissipation P_C

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment

and automatic insertion through the tape packing and the maga-

zine packing.

Code

MiniP3-F2

Pin Name

1: Base

2: Collector

3: Emitter

•

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

■ Marking Symbol: H

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−20

−5

Marking Symbol: H

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−1

Peak collector current

Collector power dissipation ^*

Junction temperature

Storage temperature

−2

°C

150

T_stg

−55 to +150

Note) : Print circuit board: Copper foil area of 1 cm²or more, and the board

thickness of 1.7 mm for the collector portion

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

I_C= −1 mA, I_B= 0

Min

−20

−5

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Emiter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −10 V, I_E= 0

−1

µA



Forward current transfer ratio ^*

h_FE1

h_FE2

V_CE= −2 V, I_C= −500 mA

V_CE= −2 V, I_C= −1.5 A

130

280

Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_C= −1 A, I_B= −50 mA

− 0.5

−1.2

Base-emitter saturation voltage ^*

V_BE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

Transition frequency

f_T

V_CB= −6 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −6 V, I_E= 0, f = 1 MHz

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Rank

h_FE1

130 to 210

180 to 280

Publication date: September 2007

SJD00331AED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SB0956G-R	PANASONIC	获取价格	暂无描述
2SB0956GS	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMP
2SB0956G-S	PANASONIC	获取价格	1000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN
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