2SB0956GR

更新时间： 2024-11-23 12:59:19

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
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2页	41K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN

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2SB0956GR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	130	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SB0956GR 数据手册

Transistor

2SB956

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency power amplification

Complementary to 2SD1280

Unit: mm

1.5±0.1

4.5±0.1

1.6±0.2

Features

■

●

Large collector power dissipation P_C.

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment

and automatic insertion through the tape packing and the maga-

zine packing.

45°

0.4±0.08

0.4±0.04

0.5±0.08

1.5±0.1

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

3.0±0.15

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–20

marking

–20

–5

–2

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–62

Mini Power Type Package

I_C

–1

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

Marking symbol : H

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

V_CB= –10V, I_E= 0

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

–1

V_CEO

V_EBO

I_C= –1mA, I_B= 0

–20

–5

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= –2V, I_C= –500mA^*2

V_CE= –2V, I_C= –1.5A^*2

I_C= –1A, I_B= –50mA^*2

I_C= –500mA, I_B= –50mA

V_CB= –6V, I_E= 50mA, f = 200MHz

130

280

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

– 0.5

–1.2

Transition frequency

f_T

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= –6V, I_E= 0, f = 1MHz

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

130 ~ 210

180 ~ 280

Marking Symbol

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