2SB0976

更新时间： 2024-09-17 22:06:55

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	68K
描述
For Low-Frequency Output Amplification

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2SB0976 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	TO-92-B1, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Bismuth/Copper (Sn/Ag/Bi/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SB0976 数据手册

Transistors

2SB0976 (2SB976)

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency output amplification

For DC-DC converter

Unit: mm

5.0 0.2

4.0 0.2

For stroboscope

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Large collector current I_C

0.7 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

+0.15

Parameter

Symbol

Rating

−27

Unit

0.45

–0.1

+0.6

2.5

–0.2

2.5

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

–0.2

−18

2 3

−7

1: Emitter

2: Collector

3: Base

TO-92-B1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−5

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

−8

0.75

°C

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−18

−7

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

I_C= −1 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −10 V, I_E= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

V_CE= −2 V, I_C= −2 A

−100

−1

µA



I_EBO

1, 2

Forward current transfer ratio ^*

h_FE

125

625

−1.0

Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_C= −3 A, I_B= − 0.1 A

− 0.4

120

Transition frequency

f_T

V_CB= −6 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −20 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Rank

h_FE

125 to 205

180 to 625

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: March 2003

SJC00064BED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB0976\|2SB976	ETC	获取价格	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
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