2SB0968R

更新时间： 2024-11-26 13:04:11

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松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
4页	81K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, SC-63, 3 PIN

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2SB0968R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-63	包装说明：	SC-63, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SB0968R 数据手册

Power Transistors

2SB0968 (2SB968)

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency output amplification

Complementary to 2SD1295

Unit: mm

6.5 0.1

5.3 0.1

4.35 0.1

2.3 0.1

0.5 0.1

■ Features

• Possible to solder radiation fin directly to printed circuit board

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• Large collector power dissipation P_C

1.0 0.1

0.1 0.05

0.5 0.1

0.75 0.1

2.3 0.1

(5.3)

(4.35)

(3.0)

4.6 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−50

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Base

2: Collector

3: Emitter

−40

−5

EIAJ: SC-63

U-G1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−1.5

Peak collector current

Collector power dissipation (T_C= 25°C)

Junction temperature

−3

Note) Self-supported type package is also prepared.

°C

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

−50

−40

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= −1 mA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

V_CB= −20 V, I_E= 0

V_CE= −10 V, I_B= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−1

−100

−10

220

µA



I_CEO

I_EBO

h_FE1

V_CE= −5 V, I_C= −1 A

V_CE= −5 V, I_C= −1 mA

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −1.5 A, I_B= − 0.15 A

V_BE(sat)I_C= −2 A, I_B= − 0.2 A

−1

−1.5

f_T

V_CE= −5 V, I_C= − 0.5 A, f = 200 MHz

V_CB= −20 V, I_E= 0, f = 1 MHz

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

80 to 160

120 to 220

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: February 2003

SJD00035AED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB0970	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)
2SB0970(2SB970)	ETC	获取价格	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SB0970\|2SB970	ETC	获取价格	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SB0970R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 10V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236AB
2SB0970S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 10V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-236AB
2SB0976	PANASONIC	获取价格	For Low-Frequency Output Amplification
2SB0976\|2SB976	ETC	获取价格	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SB0976Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 18V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-92
2SB0976R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 18V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-92
2SB1000	TYSEMI	获取价格	Low frequency amplifier. Collector to base voltage VCBO -25 V

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