Datasheet > 2SB0951Q

2SB0951Q

更新时间： 2024-11-28 23:20:03

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
4页	69K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-220AB

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB0951Q 数据手册

Power Transistors

2SB0951, 2SB0951A (2SB951, 2SB951A)

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

Unit: mm

For midium-speed switching

10.0 0.ꢀ

5.5 0.ꢀ

4.ꢀ 0.ꢀ

ꢀ.7 ^0.ꢀ

Complementary to 2SD1277 and 2SD1277A

φ ꢁ.1 0.1

I Features

•

High forward current transfer ratio h_FE

High-speed switching

Full-pack package which can be installed to the heat sink with one

screw

1.ꢁ 0.ꢀ

1.4 0.1

+0.ꢀ

–0.1

0.5

0.8 0.1

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

ꢀ.54 0.ꢁ

5.08 0.5

Parameter

Symbol

Rating

Unit

2SB0951

2SB0951A

2SB0951

2SB0951A

V_CBO

−60

Collector to base

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

voltage

−80

ꢀ ꢁ

V_CEO

−60

Collector to

EIAJ : SC-67

TO-220F Package

emitter voltage

−80

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

−7

Internal Connection

−12

−8

T_C= 25°C

T_a= 25°C

P_C

Collector power

dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_C= 25°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

−100

−2

Unit

2SB0951

I_CBO

V_CB= −60 V, I_E= 0

V_CB= −80 V, I_E= 0

V_EB= −7 V, I_C= 0

I_C= −30 mA, I_B= 0

µA

Collector cutoff

current

2SB0951A

Emitter cutoff current

I_EBO

2SB0951

V_CEO

−60

−80

Collector to emitter

voltage

2SB0951A

Forward current transfer ratio

h_FE1

V_CE= −3 V, I_C= −4 A

V_CE= −3 V, I_C= −8 A

I_C= −4 A, I_B= −8 mA

2 000

500

10 000

h_FE2

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

−1.5

−2

I_C= −4 A, I_B= −8 mA

V_CE= −10 V, I_C= −1 A, f = 1 MHz

I_C= −4 A, I_B1= −8 mA, I_B2= 8 mA,

V_CC= −50 V

0.5

MHz

µs

t_on

Storage time

t_stg

µs

Fall time

t_f

µs

Note) : Rank classification

Rank

h_FE1

2 000 to 5 000 4 000 to 10 000

Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与2SB0951Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB0951R	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti
2SB0952	PANASONIC	获取价格	For Low-Voltage Switching
2SB0952(2SB952)	ETC	获取价格	パワーデバイス－パワートランジスタ－汎用電力増幅
2SB0952\|2SB952	ETC	获取价格	Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
2SB0952A	PANASONIC	获取价格	For Low-Voltage Switching
2SB0952A(2SB952A)	ETC	获取价格	パワーデバイス－パワートランジスタ－汎用電力増幅
2SB0952A\|2SB952A	ETC	获取价格	Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
2SB0952AP	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB0952AQ	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SB0952AR	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2

与2SB0951Q相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

49
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

67
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

62

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB0951Q

2SB0951Q 数据手册

与2SB0951Q相关器件

与2SB0951Q相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB0951Q

2SB0951Q 数据手册

与2SB0951Q相关器件

与2SB0951Q相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？