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2SB0789Q

更新时间： 2024-01-30 11:55:12

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其他 - ETC		晶体晶体管光电二极管放大器
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3页	66K
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TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-62

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2SB0789Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	130
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SB0789Q 数据手册

Transistor

2SB0789, 2SB0789A (2SB789, 2SB789A)

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency driver amplification

Unit: mm

Complementary to 2SD0968 (2SD968) and 2SD0968A (2SD968A)

1.5 0.1

4.5 0.1

1.6 0.2

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

Large collector power dissipation P_C.

45°

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

0.4 0.08

0.4 0.04

Parameter

Symbol

Ratings

–100

–120

–100

–120

–5

Unit

0.5 0.08

1.5 0.1

Collector to

2SB0789

2SB0789A

2SB0789

3.0 0.15

V_CBO

base voltage

Collector to

V_CEO

emitter voltage 2SB0789A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

marking

V_EBO

I_CP

–1

1:Base

2:Collector

3:Emitter

I_C

–0.5

EIAJ:SC–62

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

Mini Power Type Package

T_j

150

(2SB0789)

Marking symbol : D

T_stg

–55 ~ +150

(2SB0789A)

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

Parameter

Collector to emitter 2SB0789

voltage 2SB0789A

Symbol

Conditions

I_C= –100µA, I_B= 0

min

–100

–120

–5

typ

max

Unit

V_CEO

Collector to base voltage

V_EBO

I_E= –10µA, I_C= 0

_CE= –10V, I_C= –150mA

h_FE1

220

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= –5V, I_C= –500mA

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= –500mA, I_B= –50mA

V_CB= –10V, I_E= 50mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

– 0.2

– 0.6

–1.2

– 0.85

120

Transition frequency

f_T

MHz

Collector output capacitance

Cob

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

90 ~ 155

130 ~ 220

2SB0789

Marking

Symbol

2SB0789A

Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional

part number.

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB0789R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-62
2SB0790	PANASONIC	获取价格	For Low-Frequency Output Application
2SB0790(2SB790)	ETC	获取价格	2SB0790 (2SB790) - PNP Transistor
2SB0790\|2SB790	ETC	获取价格	Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SB0790Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-71
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