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2SB0819Q

更新时间： 2024-02-29 07:46:04
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 73K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SC-71

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2SB0819Q 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SB0819Q 数据手册

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Transistor  
2SB0819 (2SB819)  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency output amplification  
Complementary to 2SD1051  
Unit: mm  
6.9 0.1  
2.5 0.1  
1.0  
1.5  
1.5 R0.9  
R0.9  
Features  
High collector to emitter voltage VCEO  
Large collector power dissipation PC.  
M type package allowing easy automatic and manual insertion as  
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.  
I
G
.
G
R0.7  
G
0.85  
0.55 0.1  
0.45 0.05  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
3
2
1
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–50  
2.5  
2.5  
–40  
V
–5  
V
–3  
–1.5  
A
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
EIAJ:SC–71  
M Type Mold Package  
IC  
A
*
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
1
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more, and the board  
thickness of 1.7mm for the collector portion  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB = –20V, IE = 0  
CE = –10V, IB = 0  
min  
typ  
max  
–1  
Unit  
µA  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
ICEO  
V
–100  
–10  
Emitter cutoff current  
IEBO  
VEB = –5V, IC = 0  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Forward current transfer ratio  
VCBO  
VCEO  
IC = –1mA, IE = 0  
–50  
–40  
80  
IC = –2mA, IB = 0  
V
*1  
hFE  
VCE = –5V, IC = –1A*2  
IC = –1.5A, IB = –0.15A*2  
IC = –2A, IB = –0.2A*2  
220  
–1  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
V
V
–1.5  
Transition frequency  
fT  
VCB = –5V, IE = 0.5A, f = 200MHz  
VCB = –20V, IE = 0, f = 1MHz  
150  
45  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
*2 Pulse measurement  
*1  
h
Rank classification  
FE  
Rank  
hFE  
Q
R
80 ~ 160  
120 ~ 220  
Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.  
1
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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