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2SB0928(2SB928)

更新时间： 2022-01-18 16:03:00

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描述
パワーデバイス－パワートランジスタ－汎用電力増幅

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2SB0928(2SB928) 数据手册

パワートランジスタ

2SB0928 (2SB928), 2SB0928A (2SB928A)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

電力増幅用

Unit : mm

8.5 0.2

6.0 0.2

3.4 0.3

テレビ垂直偏向出力用

1.0 0.1

2SD1250, 2SD1250Aとコンプリメンタリ

■ 特ꢀ長

0 to 0.4

R = 0.5

1.0 0.1

•

0.8 0.1

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEOが高い

コレクタ損失P_Cが高い

2.54 0.3

1.4 0.1

0.4 0.1

• 小形電子機器のプリント基板などへ直

接放熱フィンをはん

5.08 0.5

(8.5)

(6.0)

だ付けできるN型パッケージ構造

1.3

■ 絶対最大定格 T_C= 25°C

項目

記号

V_CBO

V_CEO

定格

−200

−150

−180

−6

単位

(6.5)

(E 開放時)

コレクタ・ベース間電圧

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

2SB0928

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

2SB0928A

N-G1 Package

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

注) 自立タイプのパッケージも用

意しています。

コレクタ電流

I_C

I_CP

P_C

−2

尖頭コレクタ電流

コレクタ損失

−3

T_a= 25°C

1.3

接

合温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

■ 電気的特性 T_C= 25°C 3°C

項目

記号

条件

最小標準最大

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)

V_CBO

V_CEO

I_C= −500 µA, I_E= 0

I_C= −5 mA, I_B= 0

−200

−150

−180

−6

2SB0928

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

2SB0928A

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)

V_EBO

I_E= −500 µA, I_C= 0

V_CB= −200 V, I_E= 0

V_EB= −4 V, I_C= 0

コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) I_CBO

−50

240

µA



エミッタ・ベース間遮断電流(C開放時)

I_EBO

直流電流増幅率

h_FE1

h_FE2

V_BE

V_CE= −10 V, I_C= −150 mA

V_CE= −10 V, I_C= −400 mA

ベース・エミッタ間飽和電圧

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

トランジション周波数

−1.0

V_CE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

f_TV_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

MHz

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

2. : ランク分類

ランク

h_FE1

60 ∼ 140

100 ∼ 240

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2003年2月

SJD00010BJD

12 3

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