Datasheet > 2SB0930(2SB930)

2SB0930(2SB930)

更新时间： 2022-01-18 16:03:00

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		/
页数	文件大小	规格书
3页	196K
描述
パワーデバイス－パワートランジスタ－汎用電力増幅

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB0930(2SB930) 数据手册

パワートランジスタ

2SB0930 (2SB930), 2SB0930A (2SB930A)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

電力増幅用

2SD1253, 2SD1253Aとコンプリメンタリ

Unit : mm

8.5 0.2

6.0 0.2

3.4 0.3

1.0 0.1

■ 特ꢀ長

•

直

流電流増幅率h_FEが高く、直

コレクタ・エミッタ間飽和電圧 V_CE(sat)が低い

放熱フィンをはん

線性がよい

• 小形電子機器のプリント基板などへ直

接

0 to 0.4

だ付けできるN型パッケージ構造

R = 0.5

1.0 0.1

0.8 0.1

2.54 0.3

1.4 0.1

■ 絶対最大定格 T_C= 25°C

0.4 0.1

5.08 0.5

項目

記号

V_CBO

定格

−60

−80

−60

−80

−5

単位

(8.5)

(6.0)

(6.5)

1.3

2SB0930

2SB0930A

2SB0930

2SB0930A

コレクタ・ベース間電圧

(E開放時)

V_CEO

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

コレクタ電流

I_C

I_CP

P_C

−4

N-G1 Package

尖頭コレクタ電流

コレクタ損失

−8

注) 自立タイプのパッケージも用

意しています。

T_a= 25°C

1.3

接

合温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

■ 電気的特性 T_C= 25°C 3°C

項目

記号

V_CEO

条件

最小標準最大

単位

2SB0930

I_C= −30 mA, I_B= 0

−60

−80

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

2SB0930A

コレクタ・エミッタ間遮断 2SB0930

電流(E B間短絡) 2SB0930A

コレクタ・エミッタ間遮断 2SB0930

電流(B 開放時) 2SB0930A

I_CES

V_CE= −60 V, V_BE= 0

V_CE= −80 V, V_BE= 0

V_CE= −30 V, I_B= 0

V_CE= −60 V, I_B= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−400

−700

−1

µA

・

I_CEO

エミッタ・ベース間遮断電流(C開放時)

I_EBO

直

流電流増幅率

h_FE1

h_FE2

V_BE

V_CE= −4 V, I_C= −1 A

V_CE= −4 V, I_C= −3 A

250



ベース・エミッタ間飽和電圧

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

トランジション周波数

ターンオン時間

−2.0

−1.5

V_CE(sat)I_C= −4 A, I_B= − 0.4 A

f_T

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

I_C= −4 A

I_B1= − 0.4 A, I_B2= 0.4 A

V_CC= −50 V

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

MHz

µs

t_on

0.2

蓄

積時間

t_stg

0.5

µs

下降時間

t_f

0.2

µs

2. : ランク分類

ランク

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

h_FE1

70 ∼ 150

120 ∼ 250

発行年月 : 2003年4月

SJD00012BJD

12 3

下载PDF

与2SB0930(2SB930)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB0930/2SB0930A(2SB930/2SB930A)	ETC	2SB0930. 2SB0930A (2SB930. 2SB930A) - PNP Transistor	获取价格
2SB0930\|2SB930	ETC	Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification	获取价格
2SB0930A	PANASONIC	For Power Amplification	获取价格
2SB0930A(2SB930A)	ETC	Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification	获取价格
2SB0930A\|2SB930A	ETC	Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification	获取价格
2SB0930AP	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-262VAR	获取价格