5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SB0933Q
2SB0933Q PDF预览

2SB0933Q

更新时间： 2024-01-15 10:39:05
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 61K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-262VAR

阅读下载

获取价格

2SB0933Q 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：90
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

2SB0933Q 数据手册

 浏览型号2SB0933Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB0933Q的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB0933Q的Datasheet PDF文件第4页 
Power Transistors  
2SB0933 (2SB933)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
3.4±0.3  
8.5±0.2  
6.0±0.5  
For power switching  
1.0±0.1  
Complementary to 2SD1256  
Features  
■
1.5max.  
1.1max.  
0.5max.  
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE  
●
0.8±0.1  
●
Large collector current IC  
2.54±0.3  
●
N type package enabling direct soldering of the radiating fin to  
5.08±0.5  
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
N Type Package  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
Unit: mm  
3.4±0.3  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
8.5±0.2  
6.0±0.3  
1.0±0.1  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–130  
–80  
V
–7  
V
–10  
A
IC  
–5  
40  
A
R0.5  
R0.5  
0.8±0.1  
Collector power TC=25°C  
0 to 0.4  
2.54±0.3  
1.1 max.  
PC  
W
5.08±0.5  
dissipation  
Ta=25°C  
1.3  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
Tstg  
–55 to +150  
N Type Package (DS)  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–10  
–50  
Unit  
µA  
µA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
VCB = –100V, IE = 0  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
VEB = –5V, IC = 0  
IC = –10mA, IB = 0  
Collector to emitter voltage  
–80  
45  
V
CE = –2V, IC = – 0.1A  
Forward current transfer ratio  
*
hFE2  
VCE = –2V, IC = –2A  
90  
260  
– 0.5  
–1.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = –4A, IB = – 0.2A  
V
V
IC = –4A, IB = – 0.2A  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 10MHz  
30  
MHz  
µs  
0.13  
1.5  
IC = –2A, IB1 = – 0.2A, IB2 = 0.2A  
µs  
0.13  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
P
90 to 180  
130 to 260  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
1
1234

下载PDF

与2SB0933Q相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SB0934 PANASONIC For Power Switching

获取价格
2SB0934(2SB934) ETC パワーデバイス － パワートランジスタ － 汎用電力増幅

获取价格
2SB0934|2SB934 ETC Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification

获取价格
2SB0934P ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-221VAR

获取价格
2SB0934Q ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-221VAR

获取价格
2SB0936 PANASONIC For Low-Voltage Switching

获取价格

与2SB0933Q相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证