Datasheet > 2SB0937AP

2SB0937AP

更新时间： 2024-01-18 07:32:24

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	69K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-262VAR

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB0937AP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0937AP 数据手册

Power Transistors

2SB0937, 2SB0937A (2SB937, 2SB937A)

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

For power amplification and switching

Unit: mm

3.4±0.3

8.5±0.2

6.0±0.5

1.0±0.1

Complementary to 2SD1260 and 2SD1260A

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

●

1.5max.

1.1max.

0.5max.

●

High-speed switching

N type package enabling direct soldering of the radiating fin to

●

0.8±0.1

the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

2.54±0.3

5.08±0.5

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

1:Base

2:Collector

3:Emitter

N Type Package

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector to

2SB0937

2SB0937A

2SB0937

–60

V_CBO

base voltage

Collector to

–80

Unit: mm

8.5±0.2

6.0±0.3

3.4±0.3

–60

1.0±0.1

V_CEO

emitter voltage 2SB0937A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

V_EBO

I_CP

–5

–4

I_C

–2

R0.5

0.8±0.1

0 to 0.4

Collector power T_C=25°C

2.54±0.3

1.1 max.

P_C

5.08±0.5

dissipation

Ta=25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

1:Base

2:Collector

3:Emitter

T_stg

–55 to +150

N Type Package (DS)

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–1

Unit

2SB0937

2SB0937A

2SB0937

2SB0937A

V_CB= –60V, I_E= 0

current

V_CB= –80V, I_E= 0

V_CE= –30V, I_B= 0

V_CE= –40V, I_B= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

–1

Collector cutoff

current

–2

I_CEO

I_EBO

V_CEO

h_FE1

–2

Emitter cutoff current

–2

Collector to emitter 2SB0937

voltage 2SB0937A

–60

–80

I_C= –30mA, I_B= 0

V_CE= –4V, I_C= –1A

1000

2000

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

_CE= –4V, I_C= –2A

10000

–2.8

V_BE

V_CE= –4V, I_C= –2A

I_C= –2A, I_B= –8mA

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

–2.5

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 1MHz

0.4

1.5

0.5

MHz

µs

I_C= –2A, I_B1= –8mA, I_B2= 8mA

µs

^*h_FE2Rank classification

Internal Connection

Rank

h_FE2

Note) The part numbers in the parenthesis

show conventional part number.

2000 to 5000 4000 to 10000

12 3

下载PDF

与2SB0937AP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB0937AQ	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-262VAR	获取价格
2SB0937P	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-262VAR	获取价格
2SB0937Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-262VAR	获取价格
2SB0938	PANASONIC	For Power Amplification And Switching	获取价格
2SB0938(2SB938)	ETC	パワーデバイス－パワートランジスタ－汎用電力増幅	获取价格
2SB0938/2SB0938A(2SB938/2SB938A)	ETC	2SB0938. 2SB0938A (2SB938. 2SB938A) - PNP Transistor Darlington	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB0937AP

2SB0937AP 技术参数

2SB0937AP 数据手册

与2SB0937AP相关器件

与2SB0937AP相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB0937AP

2SB0937AP 技术参数

2SB0937AP 数据手册

与2SB0937AP相关器件

与2SB0937AP相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？