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2SB0936(2SB936)

更新时间： 2022-01-18 16:03:00

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描述
パワーデバイス－パワートランジスタ－汎用電力増幅

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2SB0936(2SB936) 数据手册

パワートランジスタ

2SB0936 (2SB936), 2SB0936A (2SB936A)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

低電圧スイッチング用

Unit : mm

8.5 0.2

3.4 0.3

■ 特ꢀ長

6.0 0.2

1.0 0.1

•

コレクタ・エミッタ間飽和電圧V_CE(sat)が低い

スイッチング速度が速い

小形電子機器のプリント基板などへ直接放熱フィンをはんだ付

0 to 0.4

けできるN型パッケージ構造

R = 0.5

1.0 0.1

0.8 0.1

2.54 0.3

1.4 0.1

■ 絶対最大定格 T_C= 25°C

0.4 0.1

5.08 0.5

項目

記号

定格

−40

−50

−20

−40

−5

単位

(8.5)

(6.0)

(6.5)

1.3

2SB0936

2SB0936A

2SB0936

2SB0936A

V_CBO

コレクタ・ベース間電圧

(E開放時)

V_CEO

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

コレクタ電流

I_C

I_CP

P_C

−10

−20

N-G1 Package

尖頭コレクタ電流

コレクタ損失

注) 自立タイプのパッケージも用

意しています。

T_a= 25°C

1.3

接

合温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

■ 電気的特性 T_C= 25°C 3°C

項目

記号

条件

最小標準最大

単位

2SB0936

2SB0936A

2SB0936

2SB0936A

V_CEO

I_CBO

I_EBO

I_C= −10 mA, I_B= 0

−20

−40

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

V_CB= −40 V, I_E= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−50

µA

コレクタ・ベース間遮断

電流(E 開放時)

エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時)

µA

直

流電流増幅率

h_FE1

V_CE= −2 V, I_C= − 0.1 A



h_FE2

V_CE= −2 V, I_C= −3 A

260

−1.5

− 0.6

ベース・エミッタ間飽和電圧

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

トランジション周波数

V_BE(sat)I_C= −10 A, I_B= − 0.33 A

V_CE(sat)I_C= −10 A, I_B= − 0.33 A

f_T

C_ob

t_on

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

100

400

0.1

MHz

コレクタ出力容量(入力開放時)

ターンオン時間

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

I_C= −3 A

µs

蓄

積時間

下降時間

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

t_stg

I_B1= − 0.1 A, I_B2= 0.1 A

0.5

µs

V_CC= −20 V

t_f

0.1

µs

2. : ランク分類

ランク

h_FE2

90 ∼ 180

130 ∼ 260

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2003年4月

SJD00017BJD

12 3 4

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