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2SB0936/2SB0936A(2SB936/2SB936A)

更新时间： 2024-11-03 23:20:03
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 61K
描述
2SB0936. 2SB0936A (2SB936. 2SB936A) - PNP Transistor

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2SB0936/2SB0936A(2SB936/2SB936A) 数据手册

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Power Transistors  
2SB0936, 2SB0936A (2SB936, 2SB936A)  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
3.4±0.3  
8.5±0.2  
6.0±0.5  
1.0±0.1  
For low-voltage switching  
Features  
■
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
1.5max.  
1.1max.  
0.5max.  
●
High-speed switching  
●
N type package enabling direct soldering of the radiating fin to  
0.8±0.1  
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
2.54±0.3  
5.08±0.5  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
Parameter  
Symbol  
Ratings  
–40  
Unit  
N Type Package  
Collector to  
2SB0936  
2SB0936A  
2SB0936  
VCBO  
V
Unit: mm  
3.4±0.3  
base voltage  
Collector to  
–50  
8.5±0.2  
6.0±0.3  
1.0±0.1  
–20  
VCEO  
V
emitter voltage 2SB0936A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–40  
VEBO  
ICP  
–5  
V
A
A
–20  
IC  
–10  
R0.5  
R0.5  
0.8±0.1  
Collector power TC=25°C  
40  
0 to 0.4  
2.54±0.3  
PC  
W
1.1 max.  
dissipation  
Ta=25°C  
1.3  
5.08±0.5  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
Tstg  
–55 to +150  
N Type Package (DS)  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–50  
–50  
–50  
Unit  
µA  
µA  
V
2SB0936  
VCB = –40V, IE = 0  
current  
2SB0936A  
VCB = –50V, IE = 0  
VEB = –5V, IC = 0  
Emitter cutoff current  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
Collector to emitter 2SB0936  
voltage 2SB0936A  
–20  
–40  
45  
IC = –10mA, IB = 0  
VCE = –2V, IC = – 0.1A  
Forward current transfer ratio  
*
hFE2  
VCE = –2V, IC = –3A  
90  
260  
– 0.6  
–1.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = –10A, IB = – 0.33A  
V
V
IC = –10A, IB = – 0.33A  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Turn-on time  
fT  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 10MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
100  
400  
0.1  
0.5  
0.1  
MHz  
pF  
µs  
Cob  
ton  
tstg  
tf  
Storage time  
IC = –3A, IB1 = – 0.1A, IB2 = 0.1A  
µs  
Fall time  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
P
90 to 180  
130 to 260  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB0936|2SB936 ETC

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 		Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
2SB0936A PANASONIC

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 		For Low-Voltage Switching
2SB0936A(2SB936A) ETC

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 		パワーデバイス － パワートランジスタ － 汎用電力増幅
2SB0936A|2SB936A ETC

获取价格

 		Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
2SB0936AP ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-262VAR
2SB0936AQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-262VAR
2SB0936P ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-262VAR
2SB0936Q PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB0937 PANASONIC

获取价格

 		For Power Amplification And Switching
2SB0937/2SB0937A(2SB937/2SB937A) ETC

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 		2SB0937. 2SB0937A (2SB937. 2SB937A) - PNP Transistor Darlington

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