2SB0929A

更新时间： 2024-02-05 23:03:46

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管放大器
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For Power Amplification

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2SB0929A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SB0929A 数据手册

Power Transistors

2SB0929 (2SB929), 2SB0929A (2SB929A)

Silicon PNP epitaxial planar type

For power amplification

Unit: mm

Complementary to 2SD1252, 2SD1252A

8.5 0.2

6.0 ^0.2

3.4 0.3

1.0 0.1

■ Features

• High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory linearity

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the

printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

0 to 0.4

R = 0.5

1.0 ^0.1

0.8 0.1

2.54 0.3

1.4 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.4 0.1

5.08 0.5

Parameter

Symbol

Rating

Unit

(8.5)

(6.0)

1.3

2SB0929

2SB0929A

2SB0929

2SB0929A

V_CBO

−60

Collector-base voltage

(Emitter open)

−80

V_CEO

−60

Collector-emitter voltage

(Base open)

(6.5)

−80

1: Base

2: Collector

3: Emitter

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−5

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−3

N-G1 Package

Peak collector current

Collector power dissipation

−5

Note) Self-supported type package is also prepared.

T_a= 25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−60

−80

Typ

Max

Unit

2SB0929

2SB0929A

2SB0929

2SB0929A

2SB0929

2SB0929A

V_CEO

I_C= −30 mA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

I_CES

I_CEO

I_EBO

V_CE= −60 V, V_BE= 0

V_CE= −80 V, V_BE= 0

V_CE= −30 V, I_B= 0

V_CE= −60 V, I_B= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−200

−300

−1

µA

Collector-emitter cutoff

current (E-B short)

Collector-emitter cutoff

current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

h_FE1

V_CE= −4 V, I_C= −1 A

V_CE= −4 V, I_C= −3 A

250



h_FE2

V_BE

Base-emitter voltage

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

−1.8

−1.2

V_CE(sat)I_C= −3 A, I_B= −0.375 A

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

0.5

1.2

0.3

MHz

µs

I_C= −1 A,

Strage time

I_B1= − 0.1 A, I_B2= 0.1 A

V_CC= −50 V

µs

Fall time

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

70 to 150

120 to 250

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

SJD00011BED

Publication date: April 2003

12 3

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