2SB0928A

更新时间： 2024-02-06 05:01:54

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管放大器
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3页	75K
描述
For Power Amplification

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2SB0928A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0928A 数据手册

Power Transistors

2SB0928 (2SB928), 2SB0928A (2SB928A)

Silicon PNP epitaxial planar type

For Power amplification

Unit : mm

8.5 0.2

6.0 0.2

3.4 0.3

For TV vertical deflection output

1.0 0.1

Complementary to 2SD1250 and 2SD1250A

■ Features

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• High collector power dissipation P_C

0 to 0.4

R = 0.5

1.0 0.1

0.8 0.1

2.54 0.3

1.4 0.1

0.4 0.1

5.08 0.5

• N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the

printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

(8.5)

(6.0)

(6.5)

1.3

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage 2SB0928 V_CEO

(Base open) 2SB0928A

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

Symbol

Rating

−200

−150

−180

−6

Unit

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

N-G1 Package

Note) Self-supported type package is also prepared

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−2

Peak collector current

−3

Collector power

dissipation

T_a= 25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 ∼ +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

Conditions

Min

−200

−150

−180

−6

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

I_C= −500 µA, I_E= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

2SB0928

V_CEO

I_C= −5 mA, I_B= 0

2SB0928A

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

V_EBO

I_CBO

I_EBO

I_E= −500 µA, I_C= 0

V_CB= −200 V, I_E= 0

−50

240

µA



V_EB= −4 V, I_C= 0

h_FE1

V_CE= −10 V, I_C= −150 mA

V_CE= −10 V, I_C= −400 mA

h_FE2

V_BE

Base-emitter voltage

−1.0

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

f_TV_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

MHz

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

60 to 140

100 to 240

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: February 2003

SJD00010BED

12 3

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