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2SB0789R

更新时间： 2024-02-15 18:13:29
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 66K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-62

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2SB0789R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：130
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SB0789R 数据手册

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Transistor  
2SB0789, 2SB0789A (2SB789, 2SB789A)  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency driver amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SD0968 (2SD968) and 2SD0968A (2SD968A)  
1.5 0.1  
4.5 0.1  
1.6 0.2  
Features  
High collector to emitter voltage VCEO  
Large collector power dissipation PC.  
I
G
.
G
45°  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
0.4 0.08  
0.4 0.04  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
–100  
–120  
–100  
–120  
–5  
Unit  
0.5 0.08  
1.5 0.1  
Collector to  
2SB0789  
2SB0789A  
2SB0789  
3.0 0.15  
2
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
3
1
VCEO  
V
emitter voltage 2SB0789A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
marking  
VEBO  
ICP  
V
A
–1  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
IC  
–0.5  
A
EIAJ:SC–62  
*
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
1
W
˚C  
˚C  
Mini Power Type Package  
Tj  
150  
(2SB0789)  
Marking symbol : D  
Tstg  
–55 ~ +150  
(2SB0789A)  
E
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more, and the board  
thickness of 1.7mm for the collector portion  
*
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Collector to emitter 2SB0789  
voltage 2SB0789A  
Symbol  
Conditions  
IC = –100µA, IB = 0  
min  
–100  
–120  
–5  
typ  
max  
Unit  
V
VCEO  
Collector to base voltage  
VEBO  
IE = –10µA, IC = 0  
CE = –10V, IC = –150mA  
V
*
hFE1  
V
90  
220  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
VCE = –5V, IC = –500mA  
50  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = –500mA, IB = –50mA  
IC = –500mA, IB = –50mA  
VCB = –10V, IE = 50mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
– 0.2  
– 0.6  
–1.2  
V
V
– 0.85  
120  
Transition frequency  
fT  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
30  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
R
90 ~ 155  
DQ  
130 ~ 220  
DR  
2SB0789  
Marking  
Symbol  
2SB0789A  
EQ  
ER  
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional  
part number.  
1
123

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