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2SB0789A(2SB789A)

更新时间： 2024-02-16 14:20:37

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小信号デバイス－小信号トランジスタ－汎用低周波増幅

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トランジスタ

2SB0789, 2SB0789A (2SB789, 2SB789A)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

低周波大電力ドライブ用

Unit : mm

4.5 0.1

1.6 0.2

1.5 0.1

■ 特ꢀ長

•

電圧(B開放時)

コレクタ・エミッタ間

が高い

V_CEO

•

コレクタ損失P_Cが大きい

0.4 0.08

1.5 0.1

0.5 0.08

0.4 0.04

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

記号

V_CBO

定格

−100

−120

−100

−120

−5

単位

3˚

2SB0789

2SB0789A

2SB0789

2SB0789A

コレクタ・ベース間電圧

(E開放時)

45˚

3.0 0.15

V_CEO

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

コレクタ電流

I_C

I_CP

P_C

T_j

− 0.5

−1

MiniP3-F1 Package

尖頭コレクタ電流

形名表示記号 :

• 2SB0789 : D

コレクタ損失

接

合温度

150

°C

• 2SB0789A : E

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

注) : プリント基板のコレクタ部

分の銅箔面

積1 cm²以上，厚み1.7 mm

■ 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

条件

最小標準最大

単位

2SB0789

2SB0789A

V_CEO

I_C= −100 µA, I_B= 0

−100

−120

−5

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)

V_EBO

I_E= −10 µA, I_C= 0

直

流電流増幅率

h_FE1

V_CE= −10 V, I_C= −150 mA

220



h_FE2

V_CE= −5 V, I_C= −500 mA

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

V_CE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

V_BE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

− 0.2 − 0.6

− 0.85 −1.20

120

ベース・エミッタ間飽和電圧

トランジション周波数

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

MHz

コレクタ出力容量(入力開放時)

C_ob

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

2. 1 : パルス測定

2 : ランク分類

ランク

h_FE1

90 ∼ 155

130 ∼ 220

注) 形名の( )内は，従来品

番です

発行年月 : 2002年12月

SJC00056CJD

12 3

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2SB0789AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-62
2SB0789G	PANASONIC	获取价格	暂无描述
2SB0789GQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
2SB0789GR	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
2SB0789Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-62
2SB0789R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SC-62
2SB0790	PANASONIC	获取价格	For Low-Frequency Output Application
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