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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-59 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.26 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 450 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 90 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA811AC18-T2B-A | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIM |
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| 2SA811AC18-T2B-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,120V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-23VAR |
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| 2SA811A-L | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLAST |
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| 2SA811A-LC15 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLAST |
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| 2SA811A-LC16 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLAST |
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| 2SA811A-LC18 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLAST |
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| 2SA811A-T1B | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLAST |
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| 2SA811A-T1B-A | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistors, MM, / |
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| 2SA811A-T1BC15 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLAST |
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| 2SA811A-T1BC16 | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLAST |
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