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2SA1986

更新时间： 2024-11-18 05:57:31

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	171K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1986 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SA1986 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1986

DESCRIPTION

·With TO-3P(I) package

·Complement to type 2SC5358

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommend for 80W high fidelity audio

frequency amplifier output stage

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-230

-5

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-15

I_B

Base current

-1.5

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

150

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3 4

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