是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | 2-16C1A, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.41 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 15 A | 集电极-发射极最大电压: | 230 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 55 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 功耗环境最大值: | 150 W |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 30 MHz |
VCEsat-Max: | 3 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SA1986_06 | TOSHIBA | Power Amplifier Applications |
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2SA1986O | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 230V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
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2SA1986-O(Q) | TOSHIBA | Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
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2SA1986R | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 230V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-247VAR |
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2SA1986-R | TOSHIBA | TRANSISTOR 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Pow |
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2SA1986-R(Q) | TOSHIBA | 暂无描述 |
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