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2SA1961Q

更新时间： 2024-02-02 03:23:51

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其他 - ETC		晶体晶体管放大器
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3页	49K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 200V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SC-71

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2SA1961Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.07 A
集电极-发射极最大电压：	200 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1961Q 数据手册

Transistor

2SA1961

P_C— Ta

I_C— V_CE

I_C— V_BE

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

–120

–100

–80

–60

–40

–20

–120

–100

–80

–60

–40

–20

Ta=25˚C

V_CE=–10V

25˚C

Printed circut board: Copper

foil area of 1cm²or more, and

the board thickness of 1.7mm

for the collector portion.

I_B=–1.0mA

Ta=75˚C

–25˚C

– 0.9mA

– 0.8mA

– 0.7mA

– 0.6mA

– 0.5mA

– 0.4mA

– 0.3mA

– 0.2mA

– 0.1mA

20 40 60 80 100 120 140 160

–2

–4

–6

–8

–10 –12

– 0.2 – 0.4 – 0.6 – 0.8 –1.0 –1.2

(

)

( )

Base to emitter voltage V_BEV

Ambient temperature Ta ˚C

Collector to emitter voltage V_CE

V_CE(sat)— I_C

h_FE— I_C

C_ob— V_CB

–10

240

I_C/I_B=10

f=1MHz

I_E=0

Ta=25˚C

V_CE=–10V

210

180

150

120

–3

–1

Ta=75˚C

–25˚C

25˚C

– 0.3

– 0.1

Ta=75˚C

25˚C

– 0.03

– 0.01

–25˚C

– 0.003

– 0.001

–1

–3

–10 –30 –100 –300 –1000

–3

–10 –30 –100 –300 –1000

–3

–10

–30

–100

(

)

(

)

( )

Collector to base voltage V_CBV

Collector current I_CmA

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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